Назначение: Предназначен для количественных и качественных измерений в условиях высокого вакуума, контролируемой газовой среды (P<1 атм) или при воздействии различных факторов (бомбардировка ионами, воздействие лазерным облучением и т.д.) на поверхность образца непосредственно в поле сканирования микроскопа